内容导读：

据《实装技术》2003年，Vol.19,No.2上报道，日本电气公司成功地开发出了一种可实行LSI化的高性能而且是采用顶栅结构的碳纳米管晶体管。

本次开发中，采用了电子束曝光技术，开发出了在任意碳纳米管内形成栅电极和源/漏电极的工艺技术以及作为绝缘膜，采用了高介电常数的极薄钛氧化膜（厚度约为2~3nm）等。
采用该技术，就可以使采用碳纳米管的晶体管集成化。另外，在使栅绝缘膜进一步薄膜化和高质量化的同时，通过缩短栅长、降低源/漏的接触电阻以及有效运有碳纳米管所具有的高电子速度/高电流密度等的优秀的材料特性，一定能够实现比MOSFET更高性能的晶体管。进而，通过开发可以任意控制碳纳米管的位置和特性的技术，就有可能制作出有效运用称之谓“纳米”这样的纳米管微细结构的超高速集成电路，这种电路一旦实现，就有可能使计算机性能产生飞跃，使携带设备的性能大幅度地提高，功耗大幅度地降低。（益国）

本文摘自《电子与封装》

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来源:中电网 作者: 时间:2003/11/14 0:00:00