内容导读：

台湾砷化镓产业发展受产品认证期较长、近年国际经济景气低迷等因素影响，使得台湾空有完整的产业聚落，砷化镓晶圆代工业者多数仍未有较好的成绩出现。

稳懋资深副芫碚耘舫趟担芫镁捌? 影响，使得台湾砷化镓晶圆代工发展约落后原先估计1～2年，但考虑国际IDM大厂逐渐缩减产能投资，以及台湾业者所展现的技术实力推估，相信台湾砷化镓代工业者仍有一定的发挥空间可期。

并指出，虽然整体景气成长与否，仍受美国经济表现及战争等因素左右，然砷化镓产业受惠于手机导入彩色屏幕使用等换机需求带动，且当前手机上的关键零组件功率放大器以异质界面双载子电晶体（HBT）制作，而 Switch以应变式高电子迁移率电晶体（pHEMT）制作，短期内仍无其它解决方案可替换，因此，估计2003年砷化镓产业发展将仍有一定的成长。


本文摘自《半导体技术》

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来源:中电网 作者: 时间:2003/5/15 0:00:00