日前，加拿大半导体技术分析公司(Semiconductor Insights，SI)对IM Flash Technologies(IMFT)的50纳米NAND闪存进行分析后得出，尽管这是第一款50纳米闪存，其密度却直追东芝的70纳米闪存。IMFT的这款50纳米NAND闪存每个单元大小为一个比特，因此其密度和东芝的70纳米8G闪存相差无几。SI公司位于加拿大安大略省Kanata市，专门分析集成电路、设备结构和专利组合。

    IMFT这款50纳米4G闪存每平方毫米可储存41.8Mbits的数据，而东芝采用多级单元的70纳米8G闪存每平方毫米可储存数据为56.5Mbit。

    SI的首席内存分析师Geoff MacGillivary表示：“我们对IMFT闪存的初步分析证实了字线间距上的50纳米门长。IMFT能够以如此快的速度发展到如此之小的光刻流程技术很不容易。”

    MacGillivary同时指出，此前最好的单级单元(single-level cell，SLC)闪存是三星的65纳米4G闪存，密度为每平方毫米31.3Mbit，而IMFT闪存的内核面积比三星的要小30%。唯一优于IMFT闪存的是东芝的70纳米8G闪存，由于采用多级单元，其密度达到每平方毫米56.5Mbit。但是其内核面积却比IMFT闪存的内核面积大出50%，因此增加了制造的总成本。

    IMFT是美光(Micron)与英特尔合资闪存公司，于2006年1月成立。目前，美光通过自己在博伊西(Boise)的工厂向这家合资公司提供NAND闪存。2006年底，位于马纳萨斯的300毫米晶圆制造厂将上线，为IMFT供应NAND闪存。同时，2007年初IMFT自己的工厂也将在犹他州落成，并将作为其公司总部。

   (来源：电子工程专辑)