内容导读：

   海力士与意法半导体合资兴建的江苏无锡半导体厂，将在明年4月着手量产。 

    韩国业界相关人员近日指出，据传海力士最快将在明年第一季底，最迟将在明年第二季初启用无锡厂。无锡厂将以生产DRAM为主，NAND型闪存则将视市场需求弹性生产。 

    无锡厂区达16万平方米，海力士计划投入2兆韩元以上兴建一座八吋晶圆厂与一座12吋晶圆厂。明年4月将启用的为8吋晶圆厂，将采用90纳米制程月产4万片（以八吋为基准）DRAM。

标签：

来源:电子产品世界 作者: 时间:2005/12/1 7:11:00