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知识产权(IP)专业公司MoSys表示，扩展了与中芯国际(SMIC)之间的现有协议，纳入了MoSys的新型高密度嵌入式闪存IP。但具体的财务细节没有披露。

根据协议，美国MoSys和中芯国际将利用中芯国际的制造工艺合作生产MoSys的1T-FLASH。MoSys公司表示，1T-FLASH是高密度NOR闪存的替代品，正在采用中芯国际的纯逻辑CMOS工艺来实现。


MoSys公司表示，与当前一代的解决方案相比，它的1T-FLASH可以为移动设备开发商和嵌入式微控制器开发商带来巨大的成本优势。


MoSys公司的总裁兼首席执行官Chet Silvestri在声明中表示：“通过与中芯国际合作，我们能够为希望集成大量高性能闪存的SoC设计者提供非常有吸引力的解决方案。”

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来源:国际电子商情 作者: 时间:2007/3/19 0:00:00