问：高速非易失性SRAM有哪些品种？

答：非易失性静态随机存取存储器NVSRAM（Nonvolatile SRAM）家族大致有以下3种：

　　①  内部埋藏有锂电池的NVSRAM：这种存储器就是在普通CMOS低功耗SRAM的基础之上，封装时把锂电池埋藏在内部，构成模块式封装形式。产品型号有DS1220、DS125、DS1230、DS1245、DS1250、M48Z35等。
　　②  双体结构的NVSRAM：这种存储器内部包含两个存储体：一个是普通的SRAM，另一个是与SRAM容量相同的影像EEPROM。平常工作状态下，微处理器等主控器件访问NVSRAM时，所操作的是SRAM，只有在电源断电时，NVSRAM自动把SRAM中的内容快速影射到EEPROM中，使内容不会丢失;在下次电源加电时，它又把EEPROM中保留的影像内容自动恢复到SRAM中。例如，产品型号有美国XICOR公司的X24C45、X24C44、X20C16等。
　　③  铁电存储器FRAM：其核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储器同时拥有RAM和ROM的特性。晶阵中的每个自由浮动的原子只有两个稳定状态，一个用来记忆逻辑“0”，另一个用来记忆逻辑“1”。数据状态可保持100年以上。FRAM产品具备一系列超级特性。比如，高速读写（存取时间只有70ns，可以跟随总线速度读写）、超低功耗（能耗只有EEPROM的1/2500）和几乎无限次的读写周期（目前的工艺水平是，可以达到一亿个亿次）。目前面市的产品型号有，RAMTRON公司FM24C04、FM24C16、FM24C256、FM24CL16、FM24CL64、FM25040、FM25C160、FM25640、FM25CL64、FM1608、FM1808、FM18L08等。（李学海）

问：CPU为8051，如果程序区或数据区大于64KB，用C语言如何编程？

答：对于64K寻址空间的8051单片机，若所扩展存储器的容量大于64KB，则寻址存储器所需的地址就要比16位多。C51的实用程序中有一个工具软件——程序体链接器BL51（bank linker）。BL51允许生成大于64KB的8051程序，这要求有扩展的逻辑进行程序体之间的切换。BL51可以管理最多16个程序体，其中每个程序体最大为64KB。

　　若是数据区大于64KB，在用C语言编程时，可以把地址说明成无符号长整型，即32位。假定16位以上的高地址从P1口输出，程序设计如下：

#define uchar unsigned char;
unsigned long addr; /* 多于16位的存储器地址 */
uchar xdata data ptr; /* 指向外部数据存储器的16位指针 */
uchar data a; /* 存取的数据 */
uchar addrH; /* 16位以上的高地址 */
. . .
ptr=addr; /* 指针得到存储器地址的低16位 */
addrH=addr>>16; /* 得到存储器地址的16位以上高地址*/
P1=addrH; /* 输出16位以上高地址 */
a=*ptr; /* 从存储器取数 */
*ptr =a; /* 向存储器存数 */