美国Virage Logic发布了可用标准CMOS工艺制造的逻辑LSI混载非挥发性内存宏（Memory Macro）“NOVeA”的第2代产品。用于电子产品以及要求高安全性设备中的数字内容保护密钥等用途。“以蓝光光盘为例，它采用了称为BD+的、可动态更改密钥的DRM技术。NOVeA适用于此类产品”（Virage日本法人公司日本Virage Logic地区经理Mike三俣）。

　　Virage数年前就开始提供NOVeA的第1代产品，产品的特点是擦写次数达10万次，与闪存一样多，数据保存期限长达10年。此次的第2代产品保持了与第1代产品相同的擦写次数以及数据保存期限，但单位内存容量的电路面积以及耗电量均大幅减小。单位容量的平均内存宏面积缩小到不足第1代产品的50％。“除缩小了内存单元面积之外，还减小了第1代产品中为确保可*性而过多设置的电路面积等”（日本Virage Logic的Mike三俣）。NOVeA第2代产品的耗电量与第1代产品相比，大约小了30％。

　　此次准备的内存宏的容量也有所增加。第1代产品最大为4Kbit，而第2代产品最大可提供16Kbit。NOVeA第2代产品目前已开始供货。价格方面，根据180nm、130nm、90nm等制造技术的先进程度不同，售价也各不相同。可应用于台湾台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）等的制造工艺。