NXP推出高效能超低噪声的微波晶体管，高频应用(20GHz以下)的NPN微波晶体管BFU725F 可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。藉由其超低的噪声系数，非常适用于敏感度高的 RF module 及 High performance mobile phones；此外，其高切换频率的特色可用作 10GHz～30GHz 之微波应用如卫星电视接收器及汽车防撞雷达的解决方案。

    BFU725F 采用了创新的硅锗碳 (SiGe:C) BiCMOS制程-QUBiC4X，这是专门为符合现实生活中的高频应用要求所设计的，可提供优越的高功率增益及动态范围组合性能，这个晶体管可谓将砷化镓 (GaAs) 的性能及硅锗碳的可靠性结为一体，但不需像使用砷化镓组件时还要再增加负偏置电压 (negative biasing voltages)的设计，所以在产品应用上更能为客户带来成本效益。

    Key Features
    Very low noice of 0.69dB at 6GHz
    High Maximum stable gain (Gms) 27.8dB at 1.8GHz
    High switching frequency - fT > 100GHz, fmax > 150GHz
    Plastic surface mounted package, SOT343F

    Key Benefits
    Very low noise of 0.4dB at 1.8GHz
    High gain of 10dB at 18GHz
    SiGe:C process ensures high switching frequency
    Cost-effective alternative to GaAs devices

    Key Applications
    GPS system
    DECT Phone
    2nd stage LNA and mixer in DBS and LNB
    Satellite Radio
    WLAN and CDMA applications
    Low-noise microwave applications

    详情请登陆：www.nxp.com