飞思卡尔半导体目前已经批量生产和提供第一款商用磁阻随机存取存储器（MRAM）设备。

　　飞思卡尔的4兆位（Mbit）MRAM是一款快速的非易失性存储器产品，具有极强的耐用性——结合了其它任何单个半导体存储器都不具备的多种特性。该设备基于飞思卡尔的超过100项专利所保护的技术，包括跳变位（Toggle-bit）切换。

　　MRAM采用磁性材料，同时结合传统的硅电路，使单个的高耐用性设备既具备SRAM的速度，又拥有闪存的非易失性。飞思卡尔成功地将该技术投入商用，将促进新型电子产品的显著改进，包括规格、成本、功耗和系统性能方面的改进。

　　飞思卡尔的第一款商用MRAM产品的名称为MR2A16A，适用于多种商业应用，包括联网、安全、数据存储、游戏和打印机等。该部件经济而又可靠，是替代battery-backed SRAM单元的理想产品。该设备还可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。