日前，德州仪器 (TI) 发布了45纳米(nm)半导体制造工艺的细节，该工艺采用湿法光刻技术，可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍，从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术，TI将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平，使性能提高30%，并同时降低40%的功耗。

　　TI 高级副总裁兼首席技术官 Hans Stork 博士指出：“例如在手机处理器与 DSP系统方面，TI凭借在芯片制造领域的实力将推出45纳米的低成本工艺技术，并同时兼顾了性能、功耗及晶体管密度等方面的问题。这使客户能尽早推出速度更快、体积更小、功耗更低的产品，TI不断通过高良率晶圆推出数百万芯片，在业界始终处于领先地位。”

　　TI预计，45 纳米工艺与 SoC 集成功能将使消费者体验高达 30% 的设备速度提升，这意味着每秒更多视频帧，从而实现更佳的移动电话用户体验。此外，无线用户将可以享受到同时运行多个应用的好处，如运行3D游戏的同时与游戏伙伴们进行视频交流，还可以在后台收发电子邮件。其它预测显示，TI 45纳米SoC将使功耗降低40%，从而获得更长的视频播放时间，并把手机待机时间延长高达 30%。