根据最近RBC Capital Markets公司发布的市场排名，预计2005年和2006年三星电子仍然在NAND闪存市场处于领导地位，但是Hynix/STMicroelectronics、英飞凌(Infineon)、美光(Micron)公司在业务增长方面更加迅速。 

　　报告显示，2005年，NAND闪存领域新玩家美光、英飞凌和Hynix/STMicroelectronics的比特出货量预计分别出现7,191%、440%和332%令人惊愕的增长。 

　　三星公司在2005年仍然处于市场领导地位，排在其后的分别为Toshiba/SanDisk、Hynix/STMicroelectronics、瑞萨(Renesas)、美光和英飞凌公司。RBC在年初预测，尽管当前IC产业下滑，NAND闪存市场将在2005年还将保持相对供需平衡，还可能出现小幅短缺。 

　　RBC分析员Satya Chillara表示，“新进入行业的厂商，对当前的技术领导者还未产生严重威胁，这些领导厂商在技术方面领先1-2代。” 

　　“当前，三星电子采用300毫米晶圆，利用90纳米工艺生产4Gb产品。东芝/SanDisk正在采用200毫米晶圆，利用90纳米工艺制造4Gb MLC。东芝/SanDisk预计在2005年下半年采用300毫米晶圆，利用70纳米工艺生产8Gb MLC。” 

　　他接着说，“看起来，美光公司即将推出2Gb解决方案，这些新供应商中的大多数将进入512Mb/1Gb闪存，瞄准OEM市场。” 

　　RBC表示，三星公司期待在2005年仍然是领导厂商，预计其NAND闪存出货量从2004年的39.2 PB(petabytes)跳升到2005年的90.3 PB，增长率预计为130%。到2006年，预计该公司NAND出货量为204.4 PB，比2005年增长126%。 

　　但是，该公司的市场份额预计从2004年的60%下跌到2005年的56%，到2006年还将进一步下滑到54%。Toshiba/SanDisk这个由两家公司组成的闪存厂商在2005年处于市场第二位，预计NAND闪存出货量从2004年的19.7 PB增加到2005年的47.6 PB，年度增长率为141%。到2006年，预计该公司NAND闪存出货量提高到117 PB上，比2005年增长146%。根据RBC预计，Toshiba/SanDisk的市场份额将从2004年的30%降低到2005年的29%，到2006年市场占有率再次恢复到31%。 

　　Hynix/STMicroelectronics在2005年仍被被远远抛在第三位，其NAND闪存的出货量将从2004年的3.1 PB跳升到2005年的13.5 PB，比2004年增长332%。到2006年，预计该公司NAND闪存出货量为30 PB，比2005年增长123%。2004年，Hynix/STMicroelectronics的市场占有率为5%，预计2005年和2006年都将达到8%的市场占有率。 

　　瑞萨公司在2005年还将留在第四位，该公司NAND闪存的出货量从2004年的2.9 PB跳跃到2005年的6.9 PB，比2004年增长136%。到2006年，预计该公司NAND闪存出货量为14 PB，比2005年增长104%。根据RBC预计，瑞萨公司在2004年市场份额为4%，2005年和2006年都将保持同样份额。 

　　预计美光公司在2005年超过英飞凌公司排在第五位，该公司NAND闪存出货量预计从2004年的0.04 PB增长到2005年的2.6 PB，比2004年增长7,191%。到2006年，预计该公司NAND闪存出货量将提高到8.1 PB，比2005年增长217%。该公司在2004年NAND闪存的市场份额为0，预计到2005年和2006年将达到2%。 

　　英飞凌公司预计处于市场第六位，该公司NAND闪存的出货量从2004年的0.22 PB增加到2005年的1.2 PB，比2004年增长440%。到2006年，预计该公司NAND闪存出货量达到4.1 PB，比2005年增长239%。RBC表示，该公司在2004年市场占有率几乎为0，到2005年和2006年的市场占有率为1%。