尼康宣布，台湾力晶半导体股份有限公司（Powerchip Semiconductor，PSC）将在50nm工艺NAND型闪存生产线上正式采用尼康的液浸ArF曝光设备“NSR-S610C”。

　　该设备将安装在力晶半导体位于新竹的工厂里。尼康表示，此次的液浸曝光设备得到力晶半导体的采用，是得益于我们公司的设备与其他公司的设备相比，没有液浸导致的缺陷，而且实现了和现有的干式ArF曝光设备相同或者更高的重叠精度，从而得到了力晶的认可。

　　NSR-S610C配备了开口数（NA）为1.3的反射折射光学系统，在“SEMICON JAPAN 2006”会议上演示了线宽和线间隔为39nm的图像解析结果。