意法合资半导体公司（ST Microelectronics）试制出了采用MEMS技术在芯片上形成通常外置的RF滤波器的手机IC，并在日前举行的“2005年国际固体电路会议（ISSCC 2005）”上进行了技术发表（演讲序号为21.3）。为了实现在IC上的集成，采用了薄膜腔声谐振器（FBAR）技术。在W-CDMA接收IC上集成FBAR滤波器的样品在ISSCC上发表尚属首次。与使用外置RF滤波器相比，实现了毫不逊色的滤波器特性。 

　　FBAR（BAW）谐振器利用的是在硅底板上形成的压电薄膜（AIN等）在垂直方向上的谐振。作为使用硅底板而能够实现与RF收发器等其他半导体元件进行单芯片的技术，受到了业界关注。由于能够采用半导体生产技术，因此德国英飞凌科技、荷兰皇家飞利浦电子和美国英特尔等半导体厂商也将进行此类开发。作为面向北美地区CDMA手机的分路滤波器（Branching Filter），安捷伦科技目前已经上市采用了FBAR技术的产品。 

　　此次集成的滤波器属于面向W-CDMA方式的2.145GHz频带的带通滤波器。将8个BAW谐振器连接成了双格型（Double Lattice）。谐振器下部设计了厚2μm的空腔。滤波器面积为0.45mm2。采用硅锗：碳（SiGe：C）双极CMOS技术生产。接收IC中除这种滤波器外，还集成了低噪声放大器（LNA）和用于降频转换的混频器。