国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出三款新型25v directfet mosfet，包括irf6622控制mosfet、irf6628和irf6629同步mosfet，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式cpu电源、vrm模块，以及嵌入式dc-dc转换器。这些应用需要更高的效率和更好的导热效果，从而提高功率密度。

　　ir中国销售总监严国富指出："与20v器件相比，新型25v directfet器件可提供更充分的电压裕量，更符合12v应用的需要。而且与同样有源硅片面积的30v器件相比, 25v器件可以减少功耗。"

　　irf6622控制mosfet的栅极电荷很低(qg为12μc)，有助减少开关损耗。据介绍，经过优化的irf6628和irf6629同步mosfet，不但传导损耗低，导通电阻rds(on)也很低，分别只有1.9mohms和1.6mohms。irf6622采用小罐式directfet封装及sq占板面积；而irf6628和irf6629则采用中罐式directfet封装及mx占板面积。

　　新型25v directfet是专为每相位20a到30a的器件设计的。在12vin、1.3vout、300khz的5相位设计中，如果每相位采用1对irf6622和irf6628，再配合ir xphase芯片组，那么在130a下即可实现88%的效率。在相同条件下，irf6622和irf6629的组合效率更高，在130a时可达88.5%。