本周宣布将在弱项系统芯片领域投入3亿美元的韩国三星电子并没有在自己的老本行上有任何松懈。据公司高层透露，三星电子正在悄然研发32G和64G容量的NAND闪存产品，并采用对手东芝公司的多层单元技术。

　　在日前举行的一次会议上，三星半导体公司负责技术市场推广的高级副总裁Jon Kang透露：我们已经设置了（研发）32G和64G闪存产品的团队。

　　三星电子目前容量最高的NAND闪存产品是16G的，基于单层单元技术（Single Level Cell），使用55纳米工艺生产。

　　除了容量之外，在闪存技术上，三星电子也开始采用竞争对手日本东芝公司所使用的多层单元技术（Multi level Cell）。这种技术生产的闪存产品要比单层单元技术的便宜三成左右。据美国媒体报道，三星电子已经拥有一条多层单元生产线，可以生产容量8G的闪存产品，制造工艺为60纳米。

　　Jon Kang表示，三星电子估计今年全球NAND闪存市场将以20％到30％的速度增长，他甚至矢言：闪存现在是三星的技术驱动力。

　　除了NAND闪存原料生产之外，三星电子也在积极探求下游产品的研发。今年3月份，三星电子发布了一款容量为32G的固态硬盘，完全使用其NAND闪存。这种存储设备比传统硬盘具有更小的体积和更快的存取速度，业界普遍认为未来固态硬盘将取代现有的磁盘。

　　另据韩国媒体本周报道，三星电子将在本月底召开的微软硬件工程师2006大会上，展示一款成熟的混合硬盘。混合硬盘结合了闪存和磁盘，可以加快数据存取和系统启动时间。明年上市的Windows

　　Vista操作系统将支持这款三星和微软共同研发的混合硬盘。