富士通目前在日本三重县的Fab1厂，以90纳米工艺技术产制月产能1.5万片的12寸晶圆，而Fab 2厂则以65纳米工艺为主，当产能满载时可达2.5万片12寸晶圆的月产能。富士通也宣布，已经有10家客户采用该公司的65纳米工艺产品CS200、CS200A，但未来为持续发展更先进工艺技术，富士通期望寻求合作伙伴。

   　近几年富士通投入了数10亿美元在研发先进工艺上，不过，一向都是自行研发。2005年6月，富士通发表45纳米工艺规划，称为NCS（nano-clustering silica）技术，属于旋涂式（spin-on）技术，并有自行开发的半导体材质。富士通同时也正运用碳纳米管技术来取代部份的铜工艺导线，不过，为了成本考量，富士通不排除与其它业者合作的可能。

    　市调机构Gartner副总裁兼主分析师Bryan Lewis认为，富士通应该会在32纳米工艺寻求合作伙伴，毕竟富士通已自行开发45纳米工艺技术。他认为，该公司的挑战在于未来必须寻找够大的生产制造伙伴，一起进行开发，且最好是尚未与其它半导体业者进行深度联盟的厂商，如此才能整合共享2家公司的研发人员，并创造最大价值。