内存制造商Qimonda AG的工程师日前表示，该公司计划在2006年12月旧金山举行的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，就58纳米DRAM制造工艺技术进行演讲报告。

    Qimonda的研究人员预计将展示完整的58纳米过程技术，他们曾经用将此技术于制造512Mb容量DRAM，工作电压为1.2V和1.35V之间，存取时间支持每通道数据率3.2Gbps。根据报告摘要显示，这个DRAM技术具有一个扩展的U形单元结构，一种金属绝缘体硅沟状电容，带有不导电的高k门电路，k=2.8的绝缘体用于末端互连。

    目前，生产DRAM内存具有实用价值的最先进工艺为70纳米至80纳米范围。三星电子宣称，开始在2006年8月使用80纳米工艺批量生产1GB容量DRAM内存。

    Qimonda于2006年8月从母公司英飞凌中分离出来，将内存制造业务通过IPO而成立。

    （来源：电子工程专辑）