日前,马来西亚硅佳(Silterra)与力旺电子(eMemory)共同宣布，力旺的Neobit系列OTP IP，已完成Silterra 0.18微米工艺(CL180G与CL180H CMOS)验证。目前双方准备进行0.13微米工艺(CL130G)的验证合作。
力旺的Neobit OTP内存IP与大多数的CMOS逻辑工艺兼容，且不需额外工艺步骤。而以on-chip programmability、高密度、绝佳可靠性及低电力消耗等特性，Neobit都是比传统ROM及fuse blocks的更好解决方案。许多应用如无线网络、手机、RFID芯片及消费电子产品，都能因定制化所增加的弹性而获益。
Silterra全球营销副总裁Kevin Bligh表示，field programmable memories已成为客户许多设计不可缺少之部份
。产品得以在出货前客制化或符合使用者确切之规格。Neobit内存IP能与Silterra的逻辑与高压工艺技术做最佳的结合。目前已有客户使用这些IP在Silterra的0.18微米工艺，而0.13微米部份也将很快展开合作。用于Silterra CL180G、CL180H及CL130G工艺的custom designed memory blocks，完全可独立进行简易的整合。从几个bits到1 megabit的记忆容量都可做支持。
力旺电子总裁徐清祥指出，在通信与消费电子领域，制造能量与time-to-market能力，是产品成功与否的决定要素。力旺很高兴能与Silterra如此优质的晶圆厂合作，提供客户具成本效益及高效能的IP解决方案，双方通过此架构完整的programmable逻辑IP蓝图，以切入全球IC设计市场。
为迎合半导体产业的快速发展，Silterra与力旺合作发展高阶嵌入式非挥发性内存科技，以满足客户对更好设计能力、良率提升、功能性增加及更快上市的需求。
