全球第三大DRAM暨NAND型Flash供应商韩厂海力士（Hynix）策略计划资深副总裁O. C. Kwon日前接受路透（Reuters）专访表示，在全球DRAM产能供应吃紧、Vista换机需求已然浮现下，2007年DRAM均价可望维持稳定。

　    Kwon表示，海力士日前曾预估2006年全年DRAM均价跌幅约在30％左右，然而在NAND型Flash产能的排挤效应下，DRAM供货有限，反而使得DRAM均价未如预期般大幅下滑，当时估计DRAM均价跌幅将不超过20％;事实上，近几个月以来，受到开学潮需求刺激，DRAM价格较原先预期增幅来得高，亦可望挹注海力士下半年获利水平。

    　Kwon进一步指出，尽管2006年NAND型Flash均价跌幅至今已经超过60％，但由于微缩制程科技的限制，未来NAND型Flash供给面增幅有限，均价将不会再像自由落体般下坠，海力士预估3～5年内，目前全球产值仅有DRAM的三分之一的NAND型Flash产值，将赶上DRAM市场规模。

    另据彭博资讯（Bloomberg）报道，海力士与欧洲第一大半导体业者意法半导体（STMicroelectronics）在无锡合作的12英寸晶圆产线，将在10月10日正式投产，海力士预定加码投资该厂，2007年开始投产NAND型Flash;据市调机构iSuppli报告显示，目前海力士国内DRAM市场营运比重高达四成，当初与意法合资于无锡设立晶圆厂，亦是考量就近供应市场之便。

　    海力士指出，目前除了每月已开出5万片DRAM产能以外，无锡12英寸产线将再挹注1.8万片产能;此外，海力士也同时扩充在韩国的晶圆厂设施，从原先投产8英寸晶圆，升级设备导入12英寸晶圆量产目标。

　    据路透社调查分析师估计，虽然2006年NAND型Flash跌幅超过预期，但下半年DRAM价格强劲，估计2006年海力士净利仍可上攀17亿美元规模。