继台积电、联电提供存储器代工整合服务，近期东南亚晶圆代工厂也纷纷祭出解决方案，整合嵌入式存储器成为晶圆代工厂最“in”新趋势！马来西亚晶圆代工厂Silterra 日前宣布与力晶旗下转投资力旺签订专利授权协定，提供0.13微米至0.18微米工艺晶圆代工;同时，据了解，新加坡晶圆代工厂特许（Chartered）也已悄悄布局嵌入式Flash方案，晶圆代工业者纷纷投入此领域，为走向SoC作准备。

　    台积电近日宣布与SST的SuperFlash合作协议，从0.19微米跨入90纳米工艺，堪称目前拥有最先进嵌入式存储器解决方案的晶圆代工厂，台积电同时对嵌入式存储器供应商采开放态度，例如与其它存储器专利授权业者、力晶转投资力旺等合作，记体体产品线相当完整;同时，台积电过去90纳米工艺嵌入式DRAM工艺进展大幅超前，因此预计嵌入式DRAM产品线10月起将跨入65纳米工艺技术。

    　至于联电，自从该公司董事长胡国强表态有兴趣跨入Flash代工，为了巩固转投资硅统的DRAM货源，也加码茂德股票，使得联电如何跨入存储器事业引起外界关注;据了解，联电与裕隆集团共同投资的常忆科技，目前开发出的pFlash已在联电投片，工艺采用0.25、0.35微米，算是联电转投资IC设计公司方式在自己家里投片量产;目前台积电、联电存储器占营收比重约1％，但随着SoC整合趋势，未来比重可能向上攀升。

        这样的风潮近期也吹向东南亚晶圆代工厂，马来西亚晶圆代工厂Silterra 24日宣布与力晶旗下转投资力旺签订专利授权协定，双方已就逻辑非挥发性存储器（one-time-programmable;OTP）达成授权共识，未来Silterra取得力旺专利授权后，将得以推出CMOS 0.18微米工艺CL180G、CL180H，并预计0.13微米的CL130G工艺2006年底正式推出。

       而Silterra并非唯一一家，特许也正积极布局内嵌式存储器方案，除了OTP、MTP等逻辑非挥发存储器之外，亦拥有先进工艺的嵌入式Flash等秘密武器;晶圆厂业者表示，未来网络、消费电子将走向整合型芯片，晶圆厂若能提供嵌入式存储器及混讯相关工艺技术，将可提供客户整套解决方案，极具附加价值。