内容导读：

本公司的Concept系列设备具有传统的化学气相淀积技术及先进脉冲晶核成形淀积技术，能够在半导体生产中淀积金属钨进行接触孔、通孔和互连结构的工艺填充。其中，Concept Two ALTUS支持200毫米硅片而Concept Three支持300毫米硅片。设备与化学机械抛光工艺兼容，成膜无倾角并可无缝填充深宽比>30:1的图形。ALTUS具有单压工艺环境（能够缩短压力循环周期）并可以在同一工艺腔室中灵活的调整温度，从而使产能最大化。
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来源:半导体国际 作者: 时间:2006/8/8 0:00:00