Epion实现超浅掺杂Thoughput的重大提高
内容导读：
气体丛离子束（GCIB）开发商Epion宣布对其nFusion
TM掺杂系统产生的离子束电流实现了重大性能提高。增强的离子束质量传递不仅使晶圆的throughput提高，并且提高了表面掺杂浓度，可应用于包括DRAM制造中超浅结和多晶双栅硼掺杂，以及沟道锗掺杂。nFusion
TM 在相当于180mA的束流下产生的能量非常低，这对防止光刻胶过热具有非常的意义。
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来源:半导体国际 作者: 时间:2006/8/8 0:00:00
