据Semiconductor Reporter网站报道，由多所美国大学研究人员组成的研究组织研发成功了一种在低温条件下，通过激光去除晶体硅中氢元素的技术。此项技术可以替代以前的高温工艺，以减少其破坏性，进而提高生产良率。

相比于普通晶体管，采用此项技术制作的场效应晶体管(FET)的运算速率快40%，Cohen教授表示，这将有可能在100°C完成FET的制作，将大大改进生产的良率。

在现有工艺中，硅材料通常需要被加热到接近900°F 从而破坏硅氢键，但在此温度下硅材料本身也将变得不稳定。通过调制激光的频率，使其接近于硅氢键振荡频率，通过吸收光能量氢元素将会有更大的几率被释放，从而实现低温条件下的氢元素去除。

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http://www.semireporter.com/public/13288.cfm