据EE Time网站报道，分子束外延(MBE)设备厂商Riber公司近期参与了一项IMEC(Illinois Manufacturing Extension Center)组织的基于锗材料及III-V 族半导体器件的研发计划。此项研发的目的是尝试应用锗材料在22nm工艺中替代硅材料。

通过此项计划，IMEC将获得Riber提供的MBE设备用于研发纳米尺度的锗材料与III-V 族半导体制成工艺。此项计划是45nm以下CMOS工艺平台研发项目的一部分。此平台项目的主要参与者包括Infineon、Intel、Matsushita、Philips、Samsung、STMicroelectronics、Texas Instruments和Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.等

Riber公司始于1964年，最早从事超高真空材料的研发，现已成为世界领先的MBE产品供应商。

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http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=187900293