STARlight-2 可对先进的 65 纳米节点掩膜版上的沾污和静电放电进行有效的检测，并具有较高的分辨率和生产能力。其增强的功能非常适合于检测主流的 XRET（极限分辨率增强技术）光掩膜，并且可以检测晶体生长以及其它可能导致成品率逐步降低的连续性缺陷。该系统采用细小的像素尺寸（125 纳米和 90 纳米），具有较高的分辨率和灵敏度，可将细微的掩膜版沾污在刻印到晶片上之前进行捕获。改进的算法能检测出高密度图形区域的沾污。STARlight-2 可对整个光照进行检测，可对沟道和边缘进行检测，而这些区域通常是连续性缺陷出现的区域，它还可检测单个芯片和多个芯片掩膜版上的缺陷。缺陷捕获之后，STARlight-2 的 ReviewSmart 实用工具还可将缺陷分组成常见的种类以减少需要复查的缺陷种类，从而有助于缺陷定位和加速纠正措施的实施。
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Booth: #3401
来源:半导体国际 作者: 时间:2006/3/18 0:00:00
