美国IBM、索尼及东芝3公司日前签订了在今后5年内联合研发最先进半导体际醯暮贤＝餐箍ㄓ?2nm以后的先进技术相关的基础研究在内的技术。
此次的联合研发活动将利用有关设施进行，它们包括美国纽约州约克镇（Yorktown）的IBM“华生研究中心（Thomas J. Watson Research Center）”、纽约州以大学为中心的研发机构“Center for Semiconductor Research at Albany NanoTech”，以及IBM在纽约州EastFishkill设立的300mm晶圆半导体工厂。
IBM、索尼及东芝之间有良好的合作历史。从5年前开始，三方即围绕着一代微处理器“Cell”的设计，以及面向Cell开发的90nm和65nm的SOI（绝缘体上硅）工艺技术进行了联合开发。
而三家公司表示，凭借此次联盟的建立，未来将携手开发Cell的下一代芯片，从而带动整个半导体市场走向新纪元，带来全新的芯片设计和制造技术。同时，联盟也将目光投向了芯片材料改革，比如铜的替代材料等。
此次合作的研发经费总和大约4亿美金。
