据reed-electronics网站报道，Sharp近期表示，现有的基于GaN材料的蓝光二极管制作技术将面临更多选择的挑战。

分子束外延(MBE)技术通常用于生长复杂的半导体结构，Sharp曾将该技术应用于其红光激光器产品，但是还没有公司可以将该技术应用于蓝光器件。但是通常的化学气相淀积(MOCVD)技术在材料有效利用、高准确性和激光器小区域覆盖可能性等方面有着潜在的优势。

Sharp并不是最早对于MOCVD GaN器件感兴趣的公司，该公司获得了日本公司Nichia强有力的专利支持。

我们认为延长激光器连续波寿命是可以实现的，Sharp牛津实验室先进光电器件部门Matthias Kauer博士表示，MBE技术是没有工艺限制的，同样MOCVD也将是没有工艺限制的。

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http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6349939?spacedesc=news