据电子资讯时报网站报道，台积电加码投资先进工艺技术毫不迟疑，台积电总执行长蔡力行表示，65nm工艺下半年实现量产，预计将于2007年中贡献5％营收，45nm工艺本季底也迈入试产。此外蔡力行表示，台积电在绝缘层上覆硅技术(SOI)方面做得还不够好，未来会努力打造设计生态环境，并且不排除采取策略性动作。

尽管下半年半导体景气趋缓，台积电调整扩产步伐，但对投资先进工艺技术却仍紧催油门，以求拉开竞争差距。近期韩国三星电子力推65nm工艺代工，恐给既有代工业者些许压力，但蔡力行认为，90nm工艺价格压力会一直延续进入65nm工艺，台积电90nm工艺目前已攀升至营收的24％。

台积电研发副总孙元成说，65nm工艺已有3项产品通过质量可靠度验证，下半年量产，预估2007年中65nm工艺就足以贡献营收约5％;同时45nm工艺采用的浸润式光刻技术也已做到零密度缺陷，本季底将迈入试产阶段。台积电与设备商共同开发的浸润式光刻技术可将工艺持续推进至22nm工艺。