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FM20L08 1兆位的铁电存储器
内容导读:

产品型号  FM20L08

       参选产品简介: 可替代SRAM的1兆位铁电存储器 (FRAM) FM20L08是Ramtron 国际公司推出1兆位的铁电存储器产品,其操作电压为3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封装,是 Ramtron 目前生产的容量最大的铁电存储器,可以进行无限次的读写操作。FM20L08专门设计用来替换标准异步静态随机存储器,还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数据系统,如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。

  作为对 Ramtron 现有并口铁电存储器型号的重要补充,FM20L08 在地址转换检测 (ATD) 方面可以与 SRAM 完全兼容,它允许用户在芯片使能有效的情况下改变地址。FM20L08 的内存访问方式与 SRAM 类似,极大的简化了设计工程师使用非易失性 RAM 时所需要做的工作。 Ramtron 设计 FM20L08 的目标就是“易于使用”。除了能够完全兼容标准SRAM,FM20L08 还包含一个内部的电压监控器用来阻止低电压进入,保护已存储的数据。

  这个监控器会连续不断的检查工作电源电压,当工作电压低于一个临界值时,它就会发出一个低电压信号表明现存储器已处于一个写保护的状态。当 /LVL 信号很弱的时候,存储器就被保护起来,防止无意中的访问和数据存储损坏。FM20L08 还有软件控制的写保护功能。整个内存被分成八个区域,每个区域都可能通过软件单独设置写保护,而不需要硬件或改变管脚排列。为了给现在的高性能微处理器提供一个方便的接口,FM20L08 包含一个高速的页面模式,可以允许在比传统随机存取器更高的总线速度的情况下,进行四字节脉冲的读写操作。

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来源:EDN电子设计技术 作者: 时间:2005/8/25 0:00:00
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