内容导读：

闪存技术领头羊超捷 (Silicon Storage Technology, Inc., SST)（纳斯达克交易代码：SSTI）和先进半导体技术方面的领先者三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 今天宣布，双方已签署了一项新的技术授权协议，该协议将为三星提供先进的深亚微米嵌入式闪存技术。根据该协议，三星将授权使用超捷的成功超快闪 (SuperFlash) 技术，并将其应用于三星130毫微米技术节点中的高容量、高密度的嵌入式闪存和 ASIC（专用集成电路）产品，如三星最近推出的 2MB 嵌入式闪存 S3FJ91L 智能 IC 卡。与三星签署这一新的授权协议巩固了双方的长期合作关系，并再次证实了超捷致力于将超快闪打造成为高容量嵌入式应用产品的首选技术的承诺。通过签署这一新的技术授权协议，三星率先成为将超捷成功的超快闪技术用于130毫微米技术节点产品的被授权商。
　　超捷的嵌入式超快闪技术已经广受好评，目前市场上已有超过21亿家第三方公司采用了其领先的闪存技术。超捷将超快闪的成功归因于其可靠性、低功耗以及与互补性金属氧化半导体 (CMOS) 逻辑程序的兼容性。此外，超捷已经与三星和全球代工合作伙伴等公司形成了稳固的合作伙伴关系，从而使超快闪技术能够在该行业得到广泛推广。

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来源:半导体国际 作者: 时间:2005/12/21 0:00:00