瑞萨科技公司与Grandis，Inc.已达成协议，将共同开发采用自旋转移写入技术的65 nm工艺MRAM（磁性随机存取存储器）。瑞萨科技将在不久的将来开始供应采用65 nm工艺STT-RAMTM的微型机和SoC产品。

       瑞萨科技公司生产和技术部代理执行总经理Tadashi Nishimura表示：“我们目前正在开发采用高速和高可靠性的传统磁场数据写入技术3的MRAM技术。我们计划在微型机和带有片上存储器的SoC器件等产品中使用这种技术。尽管如此,考虑到诸如减少写入的不稳定性和降低电流需求等因素，我们认为，自旋转移是未来采用超精细工艺生产MRAM的适用技术。Grandis拥有世界一流的自旋转移技术。我们确信，通过将他们的技术与瑞萨的生产工艺相结合，我们将能够开发出具有高性能和极佳可靠性的通用存储器。”

       Grandis公司总裁兼首席执行官William Almon表示：“多年来，Grandis都是一家在自旋转移技术领域的领先厂商。我们率先将自旋转移技术与MRAM中的存储器单元结构集成在一起，因而成为了该领域的先驱。通过充分发挥自旋转移的效率，我们已将它提升到一个新的水平，使之可以与今天的LSI器件集成在一起。我们期待，此次与瑞萨科技的合作将把我们的技术应用于LSI，给Grandis的业务扩展带来重要的机会。”