存储技术一直是JEDEX的热门话题，10月25至26日举办的JEDEX上海研讨会，来自韩国的Samsung、Hynix两家全球顶级存储芯片供应商，向与会者指出了未来存储市场可能的走向。
Samsung Electronics存储部产品计划与应用资深副总裁Tae-Sung Jung称，半导体产业正在进入Flash Memory时代，存储芯片正在与微处理器一样，成为推动消费电子产业的关键技术动力。Samsung Electronics首次在业内采用50纳米工艺开发出了16Gb容量的NAND闪存，并将利用3D晶体管结构技术在2006年下半年投入批量生产。Samsung认为，在此基础上，存储卡将成为微硬盘的替代品。而Hynix存储事业销售单位副总裁Son Seok Lee则预言，2005年底，在主要的内存应用市场上DDR2将取代DDR成为主流，从2006年Q2开始FB-DIMM的市场将迅速扩大，RDRAM将迅速的从相关市场退出，而采用DDR3的第二代FB-DIMM将在2007年上市。
美国半导体行业标准协会（JEDEA）通过这样年度性研讨会形式促进中国半导体行业技术标准发展的期望，得到了中国半导体行业协会、中国电子技术标准化研究所的积极响应与大力支持。而《EDN China电子设计技术》、《SI China半导体国际》则被JEDEX指定为独家支持媒体。（姚钢）
来源:半导体国际 作者: 时间:2005/11/17 0:00:00
