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Varian推出掩模式离子注入系统降低制造成本
内容导读:

据Semiconductor Reporter网站报道,Varian半导体设备公司日前宣布其开发出一种方法,可以将硅片的部分面积保护起来,以实现在同一硅片上的不同注入剂量。这种方法据称可以大量降低研发成本。

采用上述方法,不同注入剂量可以在同一硅片上实现并测试,而不需要为每种剂量都采用不同的硅片来做试验。

半导体届开发下一代器件的研发成本过高成为越来越需要慎重对待的问题。离子注入技术占研发成本的份额不容忽视。此次推出的VIISta vMask系统使客户可以在同一硅片上实现不同剂量的离子注入试验,将会节省75%的硅片和大量的时间。据其客户反映每年至少降低成本一千万美元。


相关链接(英文):
httpwww.semireporter.compublic13373.cfm

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来源:SEMI 作者: 时间:2006/8/1 0:00:00
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