为半导体硅刻蚀工艺而优化设计的深层反应离子刻蚀系统Pegasus大大提高了在工艺能力、稳定性以及设备可靠性等方面的表现。它是Surface Technology Systems plc公司先进硅刻蚀技术的又一次飞跃。设备的硅刻蚀速率>;25 mm/min，这大大提高了产能和器件的良率。这套系统的关键是设计了一个高均匀性的等离子源，它增加了30%的刻蚀速率以及提高了35%的掩膜选择比。
　　Surface Technology Systems plc
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