内容导读：

　　在90纳米及以下，器件设计已经展现出超越传统的通过光刻缩小的技术方法达到和ITRS制定的性能表现，例如载流子迁移率工程和增加的栅极堆垛电容。为了使成品率更快地上升，fab依靠先进的X射线方法得到关键的工艺信息。
　　在众多现有的方法当中，基于从晶体材料中散射的X射线的X射线衍射技术(XRD)被用于表征薄膜层的微结构和晶相;高分辨X射线衍射(HRXRD)用于高质量外延层的晶格直接测量。X射线衍射成像(XRDI)通过衍射的X射线强度鉴别晶圆表面和边缘的缺陷。x射线反射率(XRR)能够提供厚度、密度和粗糙度等薄膜测量信息，而不依赖于晶体质量;X射线荧光(XRF)可确定组分和膜厚。
　　使用锗硅材料通过应力工程来增强迁移率使制造进入了90纳米。对这种膜的厚度测量是不充分的。要得到高的器件成品率和紧的速度分布，需要精确控制外延层的组分和弛豫。在采用90纳米技术的fab里，高分辨XRD定量地测量这些关键参数，提供好于1%敏感度水平的晶格弛豫监控。

　　在互连层次，铜的金属化正成为事关阻挡层金属质量和完整度的复杂因素。随着线宽缩小，更薄的阻挡层需要更紧的容忍度。除膜厚外，晶化是影响互连中电学和扩散特性的关键因素。在高k值栅极介质，比如HfO2，引入后，也会有相似的问题， 晶化的发生对于材料属性是有害的。在两种情况下，结合使用XRR/XRD技术，可以控制厚度和晶相，这对器件性能是必不可少的。

　　Bede X-Ray Metrology,
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来源:半导体国际 作者: 时间:2005/10/10 0:00:00