新加坡特许半导体面向先进的消费和无线产品推出了系列高性能解决方案，包括面向移动产品FPD驱动器的0.18μm ULL高电压工艺、面向UWB通信和TV调谐器的0.18μm和0.35μm SiGe BiCMOS工艺，以及面向RFID芯片和MCU的0.18μm和0.25μm OTP解决方案。
　　以上解决方案为基于CMOS工艺的顶端插件模块，可在现有的设计基础之上优化性能和成本，实现大批量生产。
　　0.18μm ULL高电压工艺下低泄漏晶体管的泄漏电流为pA级，适用于提高LTPS TFT、OLED移动显示驱动器及移动电源管理器等的性能。该工艺支持双门和三门氧化物插件选项、低于4μm2低功耗SRAM单元、单片解决方案及完整的第三发设计解决方案。
　　0.35μm SiGe BiCMOS工艺可获得fT高于50GHz，及fmax高于60GHz，除了TV调谐器外，该工艺还可为手机RF晶体管及功放芯片提供高成本效益的解决方案。0.18μm SiGe BiCMOS工艺面向于高集成度无线产品