由中国科学院工程院主办的年度中国科技论坛6月15日在西安举行。面临中国半导体芯片制造和太阳能电池制造业迅速发展,但硅单晶、特别是多晶硅供应能力严重不足的形势,今年科技论坛的主题被选择为硅材料研究与硅产业发展摂。中科院工程院士闻立时、陈立泉、王占国、梁骏吾、卢秉恒、候洵以及来自国内多家大学、研究机构的教授学者,国内硅材料厂商代表和西安市科技局的领导参加了论坛。美国应用材料(中国)公司董事长陈荣玲先生也应邀参加了研讨会并作了发言。

与会的专业人士指出,中国大陆硅材料制造业与半导体芯片及太阳能电池制造业发展之间的脱节现状,已经开始制约中国半导体产业的整体发展规模和发展潜力。据了解,2005年中国大陆的多晶硅市场规模大约为1500公顿,其中95%依赖进口,而用于半导体芯片制造的200mm及300mm 硅抛光正片则100%需要进口,国内个别厂商只能生产少量的200mm测试陪片。与此同时,国际市场多晶硅的价格在过去的24个月内,已经上扬了将近300%,而中国大陆对多晶硅的需求在未来5年将依然非常强劲。

据介绍,中国大陆的多晶硅产业起步于60年代早期,但目前包括四川峨嵋半导体、洛阳中硅高科等老企业的总产能在2005年不超过450顿,实际产量则更低。四川新光硅业正在兴建年产能千顿级的工厂,但其可利用的实际产能要等到2007年才能逐步形成。

在技术方面,国际主流的西门子法多晶硅提纯技术已经经历了三代技术改进,目前的还原能耗指标大约为 70 千瓦-小时/公斤,总能耗约100 千瓦-小时/公斤。 但中国大陆自主研发改良的氢还原西门子技术还没有过关,还原能耗指标大约为 300 千瓦-小时/公斤。与此同时,国内的工业用电却普遍高于欧洲、日本和美国的电价。而国外厂商出于商业利益的考虑,愿意向中国厂商转让相关的技术,并且还有可能利用专利问题,对中国公司的技术改进设置障碍。

与会的专家就中国大陆在目前不利的竞争条件下,是否需要加强政府引导力度来进一步发展大规模的硅材料制造业、自主技术研发的方向等重大问题进行了热烈的讨论。一些厂方代表强调中国的材料制造业基础并不差,只要有政策的鼓励同时坚持市场导向的经营方针,中国大陆的多晶硅制造业完全有可能形成相当的规模。同时,国内的产学研系统必须加强合作,在技术创新上作出实际的进步,由此可以通过和外国厂商进行交叉专利授权来解决知识产权和技术转让的问题。

另一方面,一些与会的专家也警告并呼吁中国的制造商和各地政府避免一哄而上摂的现象。因为历史的经验一再表明,这种无序的市场竞争模式最终只会削落中国厂商整体的国际竞争力并导致产业的破产。