据国际电子商情网站报道，飞思卡尔半导体(Freescale)目前已经批量生产和提供其首款商用磁阻随机存储器(MRAM)设备。该公司4-Mbit MRAM是一款快速的非易失性存储器产品。该产品采用了飞思卡尔超过100项专利技术，包括跳变位(Toggle-bit)切换技术。

据称，这是首款MRAM商用芯片，虽然离大规模采用还有不少障碍，但iSuppli公司相信此款芯片的发布在很大程度上将推进MRAM技术的发展。Freescale表示，MRAM使用磁极化来存储数据，磁阻的改变代表着二进制状态的变化，而不是指定的电荷水平。

同时，Freescale宣称其新器件平衡了读写速度，均达到类似于DRAM 35ns的水平。该器件也有类似DRAM和闪存的单元密度，但是不会出现DRAM的渗漏问题。这款MRAM器件也可以像DRAM或SRAM一样具有持久性，综合了闪存的非易失性特点。