内容导读：

　　IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，据称其性能可达到上一代技术的两倍以上。这种全新的130纳米硅锗双极互补金属氧化半导体(SiGe-BiCMOS)Foundry技术可以降低移动消费类电子产品的成本，推动高带宽无线通信的发展，并应用在放撞汽车雷达等创新应用上。
　　IBM系统与科技事业部首席技术专家Bernie Meyerson表示：“硅锗技术对下一代消费类设备和应用的影响正在不断加大。IBM于1989年引入这一技术，芯片设计人员可以通过这一技术提高计算机的性能;多年以来，SiGe提供的高容量硅技术使无线行业发生了革命性的变化。第四代SiGe技术将在全球范围内更广泛地支持无线连接及应用。”
　　IBM全新的130纳米SiGe BiCMOS技术在各种产品中的应用包括：汽车安全系统，包括用于探测盲区的24GHz雷达以及用于提供碰撞警告或先进巡航控制的77GHz雷达;60GHz Wi-Fi芯片，用于下一代无线个人区域网络(PAN)和骨干网络

;用于手机的软件无线电模块(Software Defined Radio)，可将天线接收的信号直接转换为数字形式;高速模/数和数/模转换器，用于数据获取、直接基带无线电(Direct-to-Baseband Radio)接收器、信号合成等。
　　据介绍，在130纳米的水平上，IBM的SiGe BiCMOS技术与当前的180纳米SiGe技术相比提供了更高的性能、更低的能耗以及更高的集成度。 这一技术继续保持了与IBM专用集成电路技术平台的兼容，需要芯片代工的客户因而能够导入多种具有知识产权的电路模块和标准单元库组件。此外，130纳米的Foundry平台还包括了一种RF CMOS技术选项，这为IBM的芯片代工客户提供更广泛的选择，其中包括了RF和混合信号应用。

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来源:半导体国际 作者: 时间:2005/8/15 0:00:00