据DigiTimes网站报道，，近日传出中芯国际公司东湖光谷12英寸厂未来将投入量产NAND型闪存，而近日中芯上海厂也已采90nm工艺投产2Gb NAND型闪存，最快年底量产。未来中芯包括新建的成都厂及合资的封测厂，共三地、四厂投入闪存产品;同时盛传，中芯也拟争取与日系大厂东芝技术合作，不过，中芯对传言不予置评。

由湖北、武汉市政府共同出资成立的东湖光谷12英寸厂，未来将由中芯团队负责营运，预计2008年投产，初期单月产能约1.25万片，据了解，当地政府拟扩充规模打造此厂成为超级晶圆大厂（mega-Fab），最终目标单月产能将达16万片规模，其中10万片将全数用来生产NAND型闪存，其余6万片则以逻辑IC为主。

中芯营运长Marco Mora表示，中芯近日已采90nm工艺投产2Gb NAND型Flash，投产顺利的话，第四季正式量产出货，同时，看好NAND型Flash市场，且如同DRAM产品将耗用中芯不少产能，中芯预计上海厂未来极可能单月1万片都是用以生产Flash，而后段封测则由位于成都、与联测（UTAC）共同合资的封测厂负责。

中芯执行长张汝京曾表示，NAND型闪存与以色列SaiFun技术转移，而来自于SaiFun的技术程度与逻辑IC具有相似性;不过，近期外界盛传，中芯除了与SaiFun技转之外，也将积极争取与日系半导体大厂东芝技术合作，不过面对此传言，中芯表示，对外界臆测不予置评。

而可确定的是，中芯已加快NAND型闪存布局，除了正兴建中的上海厂，与当地政府合作的东湖光谷12英寸厂、成都8英寸厂，以及合资的成都封测厂，未来4个据点都将投入与NAND型Flash相关的生产、封测业务;目前台湾投入NAND型闪存生产进度最快的当属力晶，力晶目前已投产4Gb，最快第三季量产出货。