但凡全球半导体重镇都有DRAM生产大户，美国有Micron、日本有Elpida、韩国有Samsung、Hynix，中国台湾则有茂德科技（Promos）和力晶（PowerChip）等。规划总投资20亿美元的Hynix-ST无锡合资晶圆厂终于动工兴建了，6个月后，继2002年华虹NEC转向Foundry后中国将重新拥有真正意义的DRAM Fab。
　　在4月28日的奠基仪式上，Hynix半导体董事长兼首席执行官Eui-Jei Woo说：“我们已经建立起了一个连接韩国、美国和中国的世界制造网络，新工厂将会使Hynix、ST及无锡政府保持长期互惠互利的合作与发展关系。” 而ST半导体总裁兼首席执行官Carlo Bozotti则表示：“无锡合资企业的建立将进一步加强ST在中国这个全球增长最快半导体市场中的综合实力。”

　　双方顶级人物的高调表态，似乎表明Hynix-ST无锡合资晶圆厂将会以非同寻常的速度推进。据ST半导体副总裁Mario Licciardello介绍，合资工厂8英寸生产线的设备将于今年第三季度安装，并于第四季度进行小批量试生产，采用90nm工艺，到2006年下半年，该生产线将进入批量生产阶段;主要生产512 MDRAM， 12英寸生产线设备将于2006年第一季度安装，2006年第二季度试生产，2007年上半年进入批量生产阶段。在投资比例、产能分配及董事会的9名成员组成中，都是以ST占1/3，Hynix 占2/3构成，但具体产品的生产比例则由市场决定。
　　Hynix半导体副总裁、无锡合资公司总经理Oh Chul Kwon（权五哲）表示，DRAM是Hynix的主要业务，目前在中国DRAM市场占有40%份额，也是中国市场中第一大DRAM供应商。权五哲透露，因受产能限制，Hynix目前部分DRAM业务外包台湾茂德代工。
　　8英寸和12英寸两条生产线共有18000多平米洁净室，除了将提高Hynix DRAM和ST NAND闪存的产能外，亦将给ST提供SIP（系统级封装）和MCP（多芯片封装）产品所需的DRAM产品。同时，ST NAND技术也会提高Hynix NAND产品的竞争力。ST于2003年4月在韩国设立了研发中心，目前有45位研发人员从事NAND产品的开发，研发出的NAND产品已经由Hynix生产工艺于2004年第4季度批量出货，两家公司平分该项知识产权。
　　“欧洲工厂的产能有望转移到中国无锡”这是ST的期望，实际上Carlo Bozotti在今年1月份就曾表示，ST将加快关闭或缩减欧洲6寸芯片厂产能，欧洲部分生产据点将转移至亚太地区。正是基于这种“互取所需、资源互补”因素，合资厂计划才得以最终实施。不过，虽然Hynix和ST分享合资厂DRAM和NAND产能，但从ST内存业务开始下滑来看，尤其是在NOR闪存市场份额下降明显，所以并不排除双方由现在的合作变为日后Hynix接收ST业务的可能性。因为，2004年Hynix在NAND上的出货量估计是ST的10倍左右，而且近日已有传闻，ST准备卖掉其存储业务。
　　目前Hynix的存储产品已包括高性能服务器用的主存储器、图形显示存储器、移动设备存储器、消费应用存储器和NAND闪存，而在中国与ST建合资厂将使其产品组合更加多样化。Hynix通过与ST的合作，来提升自己NAND存储器技术水平意图相当明显。
　　据权五哲介绍，由于合资工厂比原先预计的开工时间要晚，所以采用的工艺技术也会有所变化，其中，8英寸生产线采用90nm工艺已在即将从韩国转移到无锡的生产线上开发成功，良率也令人满意。与此同时，2007年进入批量生产的12英寸新生产线将采用70nm甚至更低工艺生产NAND产品。“合资工厂的宗旨是要采用成熟、先进的生产工艺。如果市场需要，我们还会开发并使用更先进的工艺。”Mario Licciardello补充道。
　　据悉，Hynix位于韩国京畿道利川由原有的M5厂200mm线改建而成MIO厂。Hynix用时3个月实现了90%初期良率，并以改建旧厂方式节省了至少10亿美元的投资费用。目前该厂以90nm制程月产2万片12英寸晶圆，并将视市场需求持续扩增产量。由此看来，Hynix在控制建厂投资及快速提升产品良率方面地确实力不凡，也许Mario Licciardello所言“合资厂从投入运营的第一天起就会赢利”，并不是一句大话。