据电子资讯时报网站报道，晶圆代工厂中芯国际不畏与台积电间的侵权争议，持续开发先进工艺技术。据了解，兴建中的上海Fab 8厂预计2007年中期完工，研发中心已计划完工后，从北京12英寸厂搬回上海，协助新建成的Fab 8厂投入先进工艺开发。目前初步规划将以65nm以下先进工艺为主，有可能成为中芯众多晶圆厂中，技术最先进的厂房。

中芯近期于上海举办年度技术研讨会，会中以0.13微米、90nm先进工艺为主打重点。会场中受邀业者逾300多家，并有30多家设立摊位。中芯副总裁陈乃勇表示，过去1年中芯取得许多技术进展，北京12英寸厂90nm工艺已成功量产，65nm工艺也正积极研发中，将于2007年1月开始量产。中芯更强调，目前推出的IP(Intellectual Property)已经超过400个，以满足客户对0.13微米、90nm工艺的需求。据了解，中芯2007年第一季度将正式投入低耗电65nm工艺试产，预计第三季度泛用型65nm工艺将进入量产阶段。

中芯为因应手机客户对先进工艺的要求，90nm、65nm工艺将会先推出低耗电工艺方案，约一个季度后，才会推出泛用型工艺。依据目前中芯北京12英寸厂已投入低耗电90nm工艺的进度预估，第四季度90nm泛用型工艺也将会进入量产阶段，研发团队已进入最后确认阶段。

此外，中芯上海的Fab 8厂预计最快将在2007年中期完工，届时核心研发团队将从北京12英寸厂迁移回上海。据了解，极可能与中芯内部规划将Fab 8厂用为65nm以下先进工艺开发之用，Fab 8厂将成为中芯众多晶圆厂中，工艺最先进的厂区。