----STMicroelectronics公司（位于美国麻塞诸塞州的Lexington）提出了一种新的制造功率MOSFET晶体管的技术。与传统的功率MOSFET晶体管相比可以将导通电阻降低至原来的三分之一到四分之一。导通电阻可随电压的变化而变化。此项技术称为 Multiple Drain Mesh （ MDmesh )，与该公司的已经获得专利保护的 MeshOverlay horizontal layout 相结合构成了新颖的漏极构造。

图：采用Mdmesh技术有望显著降低功率MOSFET晶体管的导通电阻。采用Mdmesh技术制成的晶体管，漏极分成许多小区，由垂直的－漏极条组成阵列;并平行安置多个水平排列的薄的、n-型源极条。

----漏极分成许多小区，由许多垂直的p-型漏极条和许多薄的水平的n-型源极条平行排列构成 。这样的漏极构成方式可以将击穿电压提高一倍。

----该公司还宣称，此种技术还具有优异的dV/dt特性和雪崩特性。预计MDmesh晶体管的栅极电荷比类似的器件低40%。其它的优点还有：可以简化制造过程和降低热阻。在125℃时的热阻为1.7，而传统结构晶体管的热阻一般都超过2。

----采用MDmesh技术生产的第一批器件有STP12NM50和STD5NM50型号的MOSFET晶体管。STP12NM50的额定值为：500V和0.35Ω封装型号为TO-220。STD5NM50的额定值为：500V 和0.8Ω，封装型号为DPAK。当批量超过10,000只时，STP12NM50和STD5NM50的每只价格分别为：1.30和0.65美元。如愿进一步了解情况，请和STMicroelectronics公司的Wayne Salata联系，电话号码为;847-969-2423;或请访问：