----此项封装的芯片面朝下的构造，由于有利于热量的快速传递还改善了器件的热性能。封装采用单层的FR-4材料作衬底，厚度仅为0.16mm，通过树脂支柱支持住芯片。封装的底部有一单层的导线层，上面覆盖着防止焊锡粘附的绝缘层。
----为了降低封装成本，在衬底上不设置通孔。应用了一种新的注塑工艺技术可以使注塑树脂通过芯片和隔离体之间的缝隙，包围在芯片的整个表面和侧面。所附示意图给出了该封装的剖面构造。
----封装的尺寸为6.4×10.10×1mm，球阵列的节距为0.65mm。对封装的性能测试结果表明，其电感、电容和电阻特性都比TSOP封装好。
----封装现在有三种型号可以供应：一种有60个引出端适用于DRAM，一种有74个引出端适合用于72M位的RDRAM，一种有85个引出端适合用于128M位的DDR-SDRAM。价格和同类型的TSOP封装相比具有竞争力。如欲了解更多的情况请和富士通微电子公司联系，电话号码为：001-800-866-8608，网址为：http://www.fujitsumicro.com。
