产品说明：
N沟道和P沟道MOSFET的额定电压为70V，提供SOT223和DPAK封装，适用于采用互补或全N沟道MOSFET配置的单端及桥接式负载输出，为D类音频输出提供所需的大功率、良好散热效果和优质音频复制功能，能够保证平板电视、5.1环绕声系统等大功率音频应用安全而可靠的运行。
与60V器件相比，ZXMN/P7系列MOSFET具有更高的漏源极电压，可为设计人员提供额外裕量，可适应电源及栅极振铃的大幅度变化。这些器件的导通电阻非常低，在10V电压下，N沟道和P沟道器件的典型导通电阻分别130mΩ和160mΩ，因此具有低损耗的特点，能够实现高效的运行和理想的散热效果。
该MOSFET将低导通电阻与快速切换及低栅电荷特性相结合，有助于优化输出效率。在设计完备的电路中，可以实现90%以上的效率。这些N沟道和P沟道的器件在10V运行条件下的关断时间和栅极漏极电荷分别为17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
此外，新的MOSFET能妥善处理高漏极电流，可以为单独的场效应管运行提供最大功率。由于该器件对栅极驱动的要求较低，因此在更高负载功率的应用中，可以采用平行设置的场效应管。N沟道器件采用SOT223和DPAK封装，其最大漏极电流分别为3.8A、6.1A，而P沟道器件的分别为3.7A和5.7A。
