产品说明：

采用PowerPAK 1212-8封装的这些TrenchFET Gen II 器件体积大小为：3.3mm×3.3mm×1mm，体积只有SO8封装器件的1/3。热阻值<2℃/W，与SO8封装的器件相比提高了8倍。
该系列MOSFET主要面向POL（point of load）转换器和高密度DC/DC转换器中的同步整流、同步升压和实时转换等应用。该新型电源MOSFET可以使设计工程师大大降低板体积，并且不牺牲性能的同时增加更多功能，该MOSFET目前已在很多领域取代了SO8器件。
本次推出的MOSFET系列包括双N沟道和单N沟道器件，其中，单N沟道器件在4.5V栅极驱动电压下的导通电阻范围为：3.7～10mΩ, 包括12V Si7104DN;20V Si7106DN、Si7108DN和Si7110DN;30V Si7112DN和Si7114DN以及40V Si7116DN。双N沟道器件的导通电阻为36mΩ，包括30V Si7212DN和Si7214DN;40V Si7222DN以及60V Si7220DN。
采用PowerPAK 1212-8封装的是单沟道60V Si7120DN、75V Si7812DN、150V Si7818DN、220V Si7302DN和250V Si7802DN。这些器件在10V的栅极电压下的导通电阻为135～435mΩ。