产品说明：

适用于低压开关应用的N沟道HDMOS系列MOSFET的最高漏极电压可以达到30V，起始电压为0.7到1V。其他技术规范还包括：栅极电荷的额定值为3.4到16 nC，密勒电容为30 pF。
导通电阻的变化范围是40到180 mΩ。该产品采用SOT-23和MSOP两种封装。