产品说明：

优化后的30V FDS6690A/FDS6670A N沟道MOSFET在最大12A的负载电流下可提供高的效率。当栅源电压VGS等于4.5V时，FDS6690A高端MOSFET的RDS(on)为0.017Ω，当VGS等于5V 时，栅极电荷为17 nC。
FDS6670A低端MOSFET，当栅源电压VGS等于4.5V 时，RDS(on)为0.008Ω，当VGS等于5V 时，栅极电荷为35 nC。另一对管FDS6612A/FDS6680，当负载电流为8A时性能最优化。该产品采用SO-8、SuperSOT-8、SuperSOT-6、TO-220/263和DPAK几种封装。