内容导读：

FSI国际有限公司宣布推出一项新的研发成果，这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65-nm技术节点实现自我对准金属硅化物(Salicide)的形成。FSI使用其ZETA 喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStrip 工艺，并且与领先的集成电路制造商合作，在65-nm试验线设备上对该工艺进行了验证。这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现。此次在上海举办的SEMICON China 2005上进行的发布，表明了FSI愿意与中国领先集成电路制造商合作，把全球最先进的工艺技术介绍到中国。
　　IC集成电路制造商过去都采用镍硅化合物在65nm节点来实现自我对准金属硅化物的形成，但是在整个的工艺制程中，镍硅化合物可能不具备足够稳定的耐热性来满足各种温度。研究人员发现，加入少量的铂（约5%）可以大幅增加合成金属硅化物薄膜的热稳定性。但传统的镍去除方法如硫磺酸-过氧化氢解决方案，不能有效地去除铂，结果导致在晶圆表面存在铂的残留物。
　　FSI的新PlatNiStrip 工艺，通过混合酸方案的使用可以同时去除镍和铂且无残留，对于金属硅化物、氧化物以及氮化物有较高选择性，可以实现镍铂金属硅化物薄膜的集成。
 ;"FSI在自我对准金属硅化物形成的金属物去除方面拥有长期而成功经验，这项工艺正是建立在此基础之上"FSI董事长兼首席执行官 Don Mitchell这样说到。"在自我对准金属硅化物金属去除应用方面，超过20家领先的集成电路制造商使用FSI批量喷雾清洗系统进行大批量生产。"

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来源:半导体国际 作者: 时间:2005/3/23 0:00:00