英特尔和加州大学研究人员日前声称在制造混合硅激光领域取得重大突破，有望对芯片到芯片通信和光通信网络产生巨大影响。双方计划稍后公布硅光子学技术的细节，据称在英特尔已发布的硅激光添加了基于磷化铟的光源。

研究人员说，该激光芯片的商用化有可能直到2010年底才能实现，但他们建议，能够在标准工业芯片上安放数百或数千条数据携带光束将有潜力“重塑数据中心，有可能改进光纤到户传送的方式，引发自光纤面世以来的下一轮浪潮。”

研究小组暗示，可在相对低温下用可接受的具成本效益的制造技术实现硅和InP基激光芯片的邦定。他们建议，该器件能处理20Gbps到40Gbps的数据速率，超出当今的10Gbps。